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高性能细晶薄层贱金属内电极多层片式陶瓷电

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来源: 作者: 2019-05-16 18:30:54

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近日,由清华大学承担的高性能细晶薄层贱金属内电极多层片式陶瓷电容器用Y5V材料项目通过了教育部科技发展中心组织的鉴定。据了解,本研究采取的主要技术路线是:通过化学方法(草酸盐沉淀法及水热法)制备高纯、粒度均匀的锆钛酸钡超细粉体,通过受主掺杂及过渡金属元素掺杂来提高瓷料高温抗还原性,稀土搀杂调节温度特性,采取独特的烧结工艺控制晶粒的生长,成功研制出具有高介电常数细晶的Y5V型贱金属内电极多层陶瓷电容器介质材料。863合同书上要求的性能指标:钛酸钡粉体粒径≤100nm, Y5V型,介电常数ε≥10000,所研制成功的高性能细晶锆钛酸钡基贱金属内电极MLCC瓷料的主要性能指标均已达到并超过合同要求。在℃的温度范围内烧结,烧成后晶粒尺寸的范围为0.5~3μm;室温介电常数的范围为8000~23000,温度特性满足Y5V要求,室温介电损耗小于1%,电阻率≧1012Ω·cm;击穿场强大于80kV/mm。所制备的BME-MLCC产品(μF,μF)在℃的温度范围内烧结,陶瓷介质室温介电常数到达18000以上,在-℃温度范围内,容温变化率在-82~+22%以内,满足高介电常数Y5V特性指标要求,陶瓷平均粒径约为1μm,晶粒均匀,致密度高机械性能好,具有高可靠性和耐压特性。可以运用于大容量、超薄层(介电层厚度 3mm)贱金属多层陶瓷电容器。经过国际联机检索查新证明,所研制的高性能细晶薄层贱金属四川达州查获首起校车严重超员涉嫌危险驾驶案
内电极多层陶瓷电容器用Y5V材料的配方组成、制备方法具有独创性更多信息请见本站高校科技成果鉴定栏目。

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